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TI 发布业界第一款 80 V 半桥 GaN FET 模块

发布时间:2021-09-26 18:36
全集成 GaN FET 功率级原型机 帮助电源设计人员迅速了解 GaN 的真正优势   (台北讯,2015年3月17 日)   德州仪器 (TI) 宣布推出了业界第一款 80 V、10 A 集成氮化镓 (GaN) 场效应电晶体 (FET) 功率级原型机,此原型机由一个高频驱动器和两个采用半桥配置的 GaN FET 组成—这些均在一个设计简单的四方平面无接脚 (QFN) 封装内。如需了解更多信息,敬请参访 www.ti.com/lmg5200-pr-tw。   全新的 LMG5200 GaN FET 功率级将有助于加快下一代 GaN 电源转换解决方案的市场化,此方案在空间受限、高频工业应用和电信应用中提供更高的功率密度和效率。此功率级将成为 48 V 数码电源示范的一大亮点,在本月 16 日至 18 日北加州夏洛特市召开的应用电源电子展览会 (APEC) 上进行介绍 (第 1001 号展位) ,欢迎到 www.ti.com/APEC15 追踪 TI 的最新消息。   TI 高压电源解决方案业务部副总裁 Steve Lambouses 表示,GaN 型电源设计的一大障碍曾经是与驱动GaN FET有关的不确定性,以及由封装方式和设计配置布线所导致的寄生效应。TI 将提供采用雪铁龙、易于设计封装的经优化集成模块、驱动器和高频控制器所组成的完整、可靠电源转换生态系统给设计人员,帮助他们认识 GaN 技术在电源应用方面的全部潜能。   实现 GaN 的优势   一般情况下,使用 GaN FET 在高频下进行开关的设计人员必须谨慎对待电路板配置布线,以避免振铃和电磁干扰 (EMI)。TI 的 LMG5200 双 80 V 功率级原型机极大地简化了这个问题,而同时又透过减少关键闸极驱动回路中的封装寄生电感来增加功率级效率。LMG5200 特有进阶多芯片封装技术,并且在经优化后能够支持频率高达 5 MHz 的电源转换拓扑结构。   易于使用的 6 mm x 8 mm QFN  封装无需底部填充,进而大大简化了生产制造过程。缩小的封装尺寸更加充实了 GaN 技术的应用价值,并且有助于将 GaN 电源设计应用于许多全新应用,从高频无线充电应用到 48 V 电信和工业设计。如需了解 TI 完整 GaN 解决方案相关的更多信息,敬请参访 www.ti.com/gan-pr-tw。   LMG5200 的特性和优势:   最高功率密度:首款集成 80 V 半桥 GaN 功率级相较于硅工艺型的设计,其功率损耗可低 25%,进而实现单级转换; 增加可靠性的综合 GaN 专用品质保证计划: 如需了解更多内容,请按此处; 关键闸极驱动回路中的最低封装寄生电感增加了功率级效率并在减少 EMI 的同时提高 dV/dt 抗扰度; 经简化的配置布线和可制性: 易于使用的 QFN 封装免除了底部填充的需要,以解决高电压间隔方面的顾虑,进而提高电路板的可制性并降低成本。   工具和软件   除了订购已上市的 LMG5200 评估模块,设计人员使用针对 LMG5200 的 PSpice 和 TINA-TI 模块来仿真这项技术的效能和开关频率优势,以便更快地开始设计工作。   供货情况和价钱   目前可在 TIStore 中购买 GaN 功率级的原型机样品。LMG5200 建议售价为每个 50 美元,最多购买数量以 10 个为限。LMG5200 评估模块同样贩售中,建议售价为 299 美元。   其他资源: 查看 TI GaN 解决方案的综合产品组合; 下载以下白皮书: GaN 模块效能优势与硅工艺的比较; 符合 GaN 产品可靠性的综合方法; 利用 GaN 的发展前景帮助电源解决方案不断进步; 加入TI E2E™ 社群氮化镓 (GaN),寻找解决方案、获得帮助,并与同行工程师和TI专家分享知识和解决难题 透过 Facebook 与 TI 实时互动:www.facebook.com/texasinstrumentsTW; 透过 Twitter 与 TI 实时互动:twitter.com/TXInstrumentsTW; 透过 Google + 与TI实时互动:plus.google.com/+TexasInstruments。
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